三星3nm量产时间详情

前期已经在 8nm 和 5nm 芯片产品上为多家客户提供量产测试服务，目前 3nm 先进制程工艺的芯片测试方案已调试成功，标志着公司完成全球第一颗 3nm 芯片的测试开发，将向量产测试阶段有序推进 三星电子 6 月 30 日宣布，该公司已经开始。

至于三星，众所周知，为了追赶台积电，它直接 跳过了4nm，转向3nm制程的量产 去年11月，三星方面也披露了有关3nm制程的计划，将量产时间定在2022年，这一时间节点与台积电是保持一致的但在2nm制程上，目前还没有看到。

在IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星展示了其3nm工艺制程制造的芯片，准确的说是一颗256Gb32GB容量的SRAM存储芯片，预计明年实现量产重要的是写入电压仅需023V，为何要强调写入电压呢芯片的漏电现象可以说是芯片功耗。

近期的芯片产业可以说是大新闻不断前者台积电刚刚宣布自己的3nm制程将在2022年下半年正式量产，转眼他又在自己的热搜上又加了一把火，宣布其2nm工艺的研发也取得了实质性的突破几乎在同时，常年挤牙膏的英特尔也公布了。

三星全球首批3nm芯片将于下周展示3 三星将于下周展示全球首款3nm半导体芯片该公司于6月30日开始大规模生产先进的半导体据报道，该公司已安排在7月25日星期一举行启动仪式三星的3nm芯片基于GateAllAroundGAA晶体管。

当然，这些还是纸面上的，三星的3nm工艺挑战也不少，光是量产就是个问题，之前三星宣传2021年就量产，实际上并没有，最快也是今年，而且首发的是3GAE低功耗工艺，高性能的3GAP工艺至少要2023年了据韩国媒体报道，三星已经。