内存时序调节教程

4内存超频成功与否不仅要看内存颗粒是否能够承受高频率下的考验，另外时序的调整也很重要如果把内存的读写看成一种流水线作业的话，时序就像是其中每一个环节所需时间的调整懂得内存时序调节的高手，才能够真正发挥内存。

简称CL值memoryCASlatency，是记忆的重要参数之一一些品牌的内存会在内存模块的标签上打印CL值RastoCASdelaytRCD，内存行地址转换为列地址的延迟时间amd显卡修改显存时序方向盘旷量调整方法 105变速调节教程。

如果想进一步提升内存性能，在主板BIOS提供修改内存SPD中时序参数功能的前提下，可以尝试在BIOS中将tCAStRCDtRPtRAS等四个选项值调低出于稳定性考虑，不建议随意对内存超频和修改内存时序参数。

1将内存延时设置在较低的水平，比如DDR2800内存可以设定为44410，更高频率内存可以设定为55515同时将CMD参数设置为1T，并利用测试软件检查内存是否能够稳定工作2假如降低参数延迟后内存出现不稳定的情况。

ddr3内存第二时序设置的方法如下1SDRAM行刷新周期时间，该数值对内存带宽影响较大，通常设置为60，放宽该参数可适当提升内存超频频率，如当DDR3内存超频到2000MHz以上频率是，建议该数值放宽到88或以上2写恢复延时。