电导调制效应

1、电导调制效应是基区宽度调制效应属于半导体物理的范畴了就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄是在大注入时基区电。

2、又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴，就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄电导调制效应是Webster效应，是在。

3、电导调制效应是Webster效应，又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄当。

4、另外一方面，IGBT导通时存在导通电阻，只要电流增加，IGBT的管压降就会增加，而短路时电流很大，Uce自然大了电导调制效应是电流增大时电压上升速度低于电流上升速度，并不是电流增大电压下降或不变。

5、1正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点 优点电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少 缺点反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低 2正向通态压降。

6、GTO门级可关断晶闸管全控型器件 电压电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 GTO 电压。

7、进一步，还会引起其他一些大电流效应，因为发射结边缘的电流密度很大，则在该附件处就容易出现基区展宽效应和基区电导调制效应等这些大电流下容易出现的问题由于存在电流集边效应，所以为了增大发射极电流，若只是简单的增大。

8、场效应管的优势在于驱动电路简单，所需驱动功率低，开关频率高，不存在二次击穿效应 但管压降大，也就是漏源极之间的电阻大，原因是不像GTO和IGBT那样存在由于PN结电导调制效应所以是大。

9、电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄电导调制效应是。

10、以BJT为例 电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于 半导体物理的范畴了就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应当集电结反向电压增大时，集电结的空间 电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄因。

11、电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化并造成伏安输出特性倾斜使输出电阻减小的现象另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应。

12、电力电子技术中的电导调制效应是电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象补充基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化并造成伏安输出特性倾斜使输出电阻减小的现象。

13、电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄因而载流子在基区。

14、电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄因而载流子。

15、晶闸管有电导调制效应当PN结上流过的正向电流较小时，二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻，其阻值较高，且为常量，因而管压降随正向电流的上升而增加当PN结上流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂N区。